太誘電容器(以高介電常數(shù)陶瓷電容器為主)的靜電容量的電壓特性主要表現(xiàn)為隨直流或交流電壓變化而顯著改變，這一現(xiàn)象稱為電壓特性或偏置特性，具體可分為直流偏置特性和交流電壓特性，以下是詳細(xì)介紹：

直流偏置特性

定義：對(duì)電容器施加直流電壓時(shí)，實(shí)際靜電容量會(huì)發(fā)生變化(通常減少)的現(xiàn)象。

原理：

使用了鈦酸鋇系鐵電體的高介電常數(shù)類片狀多層陶瓷電容器，其內(nèi)部存在自發(fā)極化現(xiàn)象。

當(dāng)施加直流電壓時(shí)，電場(chǎng)較小時(shí)，電位移(D)與電場(chǎng)(E)成正比。但隨著電場(chǎng)增大，原本方向混亂的自發(fā)極化(Ps)開始沿電場(chǎng)方向整齊排列，顯示非常大的介電常數(shù)，實(shí)際靜電容量值增大。

隨電場(chǎng)進(jìn)一步增強(qiáng)，自發(fā)極化整齊排列完畢，分極飽和后，介電常數(shù)變小，實(shí)際靜電容量值變小。

實(shí)例：

假設(shè)額定電壓為6.3V，靜電容量為100uF的高介電常數(shù)片狀多層陶瓷電容器上施加了1.8V的直流電壓。

此時(shí)，溫度特性為X5R的產(chǎn)品，靜電容量減少約10%，實(shí)際靜電容量值變成90uF。

而Y5V的產(chǎn)品，靜電容量減少約40%，實(shí)際靜電容量變成60uF。

影響：

直流偏置特性施加的直流電壓成分越低，靜電容量減少幅度越小。

最近市面上出現(xiàn)了以突破1V的電源電壓(直流電壓)工作的FPGA和ASIC等半導(dǎo)體芯片。如把多層陶瓷電容器使用在這種芯片的電源線上時(shí)，不會(huì)出現(xiàn)很明顯的直流偏置特性問題。

交流電壓特性

定義：對(duì)電容器施加交流電壓時(shí)，實(shí)際靜電容量會(huì)發(fā)生變化(增減)的現(xiàn)象。

實(shí)例：

假設(shè)對(duì)額定電壓為6.3V，靜電容量為22uF的高介電常數(shù)片狀多層陶瓷電容器施加0.2Vrms的交流電壓(頻率：120Hz)。

此時(shí)，溫度特性為X5R產(chǎn)品的情況，靜電容量減少約10%，實(shí)際靜電容量值變成20uF。

而Y5V產(chǎn)品更甚，靜電容量減少約20%，實(shí)際靜電容量變成18uF。

特殊情況

導(dǎo)電性高分子的鋁電解電容器（高分子AI）和導(dǎo)電性高分子鉭電解電容器（高分子Ta）、薄膜電容器（Film）、氧化鈦和使用了鋯酸鈣系順電體的溫度補(bǔ)償用片狀多層陶瓷電容器（MLCC）上幾乎不會(huì)發(fā)生直流偏置特性和交流電壓特性。

普通電解電容：在電壓從0V增加到6V的過程中，其電容容量幾乎沒有發(fā)生變化。